Фірмою Ampleon випущений новий компонент BLF189XR, який увійшов в сімейство високонадійних LDMOS транзисторів. Новинка, спеціально спроектована для схем потужних підсилювачів, працює в діапазоні 10..500 МГц.

Згідно розробникам, транзистор BLF189XR здатний працювати з КСХН до 65: 1 при потужності 1700 Вт (незгасаючі коливання) і 1900 Вт (імпульсний режим). Компонент випускається двома версіями. Перша - BLF189XRB - на 40% потужніше випущеного раніше BLF188XR в імпульсному режимі (1900 Вт) і призначена для схем з частотою до 150 МГц. Другий варіант - BLF189XRA - на 20% потужніше BLF188XR в імпульсному режимі (1700 Вт), оптимізований для роботи на всьому доступному діапазоні до 500 МГц.

Високонадійний транзистор BLF189XR, що забезпечує максимально можливою потужністю і сприяє скороченню числа транзисторів, задіяних в потужних підсилюючих каскадах, володіє найкращим показником ККД для даного компактного корпусу і найменшою вартістю в перерахунку на Ватт.

Коментарі   

#1 uy0ll 30.12.2016, 08:28
Ще одна новина Wideband RF Power LDMOS Transistor MRF1K50H: 1500 W CW over 1.8-500 MHz, 50 V http://www.nxp.com/assets/documents/data/en/data-sheets/MRF1K50H.pdf?elq_mid=4676 :

Product Specifications
Frequency Min (Min) (MHz) 1.8
Frequency Max (Max) (MHz) 500
Supply Voltage (Typ) (V) 50
P1dB (Typ) (dBm) 61.8
P1dB (Typ) (W) 1500

Output Power (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test Signal 1500 @ Peak
Test Signal Pulse
Power Gain (Typ) (dB) @ f (MHz) 23.7 @ 230
Efficiency (Typ) (%) 74
Thermal Resistance (Spec)(°C/W) 0.12
Matching Unmatched
Class AB
Die Technology LDMOS

У вас недостатньо прав для коментування